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在半导体制造过程中，光刻胶的去除是关键步骤之一。等离子去胶技术因其高效、环保和精确性被广泛应用于这一过程。然而为了进一步提升生产效率和产物质量，优化半导体等离子去胶机的去胶效率显得尤为重要。1、优化工艺参数等离子去胶的效率与多种工艺参数密切相关，包括射频功率、反应室压力、气体流量和类型、处理时间等。通过实验优化这些参数，可以找到适合特定光刻胶材料的去胶条件。例如：（1）射频功率：适当增加射频功率可以提高等离子体密度，从而增强去胶效果。但过高的功率可能导致材料损伤或过度刻蚀。（...
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